HJT異質結電(diàn)池工藝流程

異質結太陽能電(diàn)池工藝流程圖

  清洗制(zhì)絨  

祛除矽片表面的雜質和(hé)損傷層：

損傷層是在矽片切割過程中形成的表面（10微米左右）晶格畸變，具有(yǒu)較高(gāo)的表面複合。

形成陷光絨面結構：

光線照射在矽片表面通(tōng)過多(duō)次折射，達到減少(shǎo)反射率的目的。絨面制(zhì)作(zuò)方法：目前，晶體(tǐ)矽太陽電(diàn)池的絨面一般的是通(tōng)過化學腐蝕的方法制(zhì)作(zuò)完成，針對不同的矽片類型，有(yǒu)兩種不同的化學液體(tǐ)系：單晶矽絨面制(zhì)作(zuò)：Si+2NaOH+H2O →Na2SiO3 +2H2↑此反應為(wèi)各向異性反應，也是形成金字塔絨面的原因。多(duō)晶矽絨面制(zhì)作(zuò)：3Si+4HNO3 →3SiO2+4NO+2H2OSiO2+4HF→SiF4+2H2OSiF4 +4HF→H2SiF6此反應為(wèi)各向同性反應，形成蠕蟲狀絨面。

  薄膜沉積方法  

物理(lǐ)沉積：蒸發和(hé)濺射等化學沉積：如CVD等常用的a-si:H薄膜沉積方法：PECVD(等離子體(tǐ)增強化學氣相沉積)HWCVD(熱絲化學氣相沉積）上(shàng)表面沉積p型a-si:H薄膜目的：制(zhì)造太陽電(diàn)池的PN結，PN結是太陽電(diàn)池的“心髒”。下表面沉積n型a-si:H薄膜目的：形成背場(chǎng)。下表面沉積本征a-si:H薄膜目的：對晶體(tǐ)矽表面進行(xíng)良好的鈍化作(zuò)用。

TCO薄膜的沉積  

TCO薄膜在HJT太陽電(diàn)池中的作(zuò)用:盡可(kě)能多(duō)的光透過TCO，進入發射極和(hé)基區(qū)。因為(wèi)TCO的折射率與SiN薄膜接近，可(kě)以同時(shí)用作(zuò)減反射層。電(diàn)學方面滿足導電(diàn)的要求。（TCO的光學性能和(hé)電(diàn)學性能是相互依存的，不能單獨優化其中之一，必須在兩者之間(jiān)找到平衡點。

磁控濺射沉積工藝的優點:
1、膜厚均勻、易控制(zhì)，通(tōng)過改變功率來(lái)控制(zhì)濺射速率，從而控制(zhì)膜厚，而且可(kě)以大(dà)面積鍍膜。2、鍍膜工藝穩定，薄膜質量的重複性好。3、靶材壽命長，适合連續鍍膜生(shēng)産。4、濺射原子動能大(dà)，薄膜與基片的附着力強。5、可(kě)以在較低(dī)的襯底溫度下制(zhì)備緻密的薄膜。磁控濺射沉積工藝的缺點：1、設備複雜、投資高(gāo)。2、影(yǐng)響因素複雜，要獲得(de)高(gāo)性能薄膜，必須首先制(zhì)備出高(gāo)質量的靶材。

3、離子轟擊對薄膜的性能有(yǒu)損傷。

  絲網印刷電(diàn)極  

電(diàn)極就是與pn結兩端形成緊密歐姆接觸的導電(diàn)材料。習慣上(shàng)把制(zhì)作(zuò)在電(diàn)池光照面上(shàng)的電(diàn)極稱為(wèi)上(shàng)電(diàn)極。把制(zhì)作(zuò)在電(diàn)池背面的電(diàn)極稱為(wèi)下極或背電(diàn)極。制(zhì)造電(diàn)極的方法主要有(yǒu)真空(kōng)蒸鍍、化學鍍鎳，鋁漿印刷燒結等。鋁（銀或混合）漿印刷是近幾年比較成熟和(hé)在商品化電(diàn)池生(shēng)産中大(dà)量被采用的工藝方法。對于制(zhì)作(zuò)的上(shàng)下電(diàn)極材料一般要滿足下列要求:（1） 能與矽形成牢固的接觸。（2） 接觸電(diàn)阻比較小(xiǎo)，應是一種歐姆接觸。（3） 有(yǒu)優良的導電(diàn)性。（4） 遮擋面積小(xiǎo)，一般小(xiǎo)于8%。（5） 收集效率高(gāo)。（6） 可(kě)焊性強。（7） 成本低(dī)廉。（8） 污染比較小(xiǎo)。絲網印刷金屬栅線：上(shàng)下電(diàn)極以及細栅收集載流子。背電(diàn)場(chǎng)：提高(gāo)電(diàn)子的收集率，提高(gāo)短(duǎn)路電(diàn)流和(hé)開(kāi)路電(diàn)壓。燒結的目的、作(zuò)用：燃盡漿料的有(yǒu)機組分，使漿料和(hé)矽片形成良好的歐姆接觸，從而提高(gāo)開(kāi)路電(diàn)壓和(hé)短(duǎn)路電(diàn)流并使其具有(yǒu)牢固的附着力與良好的可(kě)焊性。背面場(chǎng)經燒結後形成的鋁矽合金，鋁在矽中是作(zuò)為(wèi)P型摻雜，它可(kě)以減少(shǎo)金屬與矽交接處的少(shǎo)子複合，從而提高(gāo)開(kāi)路電(diàn)壓和(hé)短(duǎn)路電(diàn)流，改善對紅外線的響應。上(shàng)電(diàn)級的銀、氮化矽、二氧化矽以及矽經燒結後形成共晶，從而使電(diàn)極與矽形成良好的歐姆接觸，從而提高(gāo)開(kāi)路電(diàn)壓和(hé)短(duǎn)路電(diàn)流。絲網印刷原理(lǐ)：絲網印刷由五大(dà)要素，即絲網、刮刀、漿料、工作(zuò)台以及基片。基本原理(lǐ)：

利用絲網圖形部分網孔透漿料，非圖文部分網孔不透漿料的基本原理(lǐ)進行(xíng)印刷。印刷時(shí)在一端到入漿料，用刮刀在絲網的漿料部位施加一定壓力，同時(shí)朝絲網另一端移動。油墨在移動中被刮闆從圖形部分的網孔中擠壓到基片上(shàng)。

  邊緣隔離  

采用高(gāo)速激光掃描系統在HIT太陽能電(diàn)池邊緣區(qū)域,掃描刻劃出邊緣隔離槽狀結構,從而完成邊緣漏電(diàn)隔離。

  

測試  

通(tōng)過I-V測試得(de)出該太陽能電(diàn)池片的ISC、VOC、FF，從而知道(dào)該太陽電(diàn)池的光電(diàn)轉換效率，由此來(lái)判斷其好壞。



來(lái)源：美能光伏、全球光伏

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