光伏膠膜作(zuò)為(wèi)封裝輔材,具有(yǒu)五大(dà)功能-“粘結、透光、保護、支撐、絕緣”。膠膜能給電(diàn)池片提供一個(gè)彈性的支撐,同時(shí)也能減少(shǎo)水(shuǐ)汽等對電(diàn)池片的侵蝕。所謂“一代電(diàn)池,一代膠膜”,膠膜技(jì)術(shù)是跟電(diàn)池技(jì)術(shù)一起與時(shí)俱進的。
圖1:光伏組件結構
(注:本文圖1-3,表1,參考/整理(lǐ)自網絡數(shù)據)
電(diàn)池最核心的部分是PN結,晶體(tǐ)矽太陽能電(diàn)池采用的襯底包括硼或者镓摻雜的P型和(hé)磷摻雜的N型矽襯底。晶矽電(diàn)池目前有(yǒu)兩個(gè)主要的趨勢:
1)矽襯底從P型逐漸轉到N型,盡管這會(huì)增加一定的成本,但(dàn)也會(huì)提高(gāo)效率,例如N型矽片具有(yǒu)更高(gāo)的體(tǐ)少(shǎo)子壽命并且沒有(yǒu)所謂的光緻衰減(LID)。
2)電(diàn)池技(jì)術(shù)方面,其結構從常規的高(gāo)溫同質PN結擴展到低(dī)溫矽基薄膜異質結(HJT)和(hé)超薄遂穿鈍化接觸(TOPCon)結構,以及HJT、TOPCon結構與全背接觸(IBC)電(diàn)池結構的組合等。
而随着高(gāo)效電(diàn)池技(jì)術(shù)的發展,新材料、新結構的引入使電(diàn)池對封裝材料的要求也越來(lái)越高(gāo),尤其是對于N型HJT和(hé)TOPCon電(diàn)池,需要膠膜在粘結和(hé)保護這兩個(gè)方面有(yǒu)更好的表現。
1)PERC電(diàn)池
圖2:當前主要的晶體(tǐ)矽太陽能電(diàn)池技(jì)術(shù)及趨勢
鈍化發射極背面接觸(PERC)是P型電(diàn)池的主流技(jì)術(shù)(圖2a)。它是通(tōng)過液态三氯氧磷源在高(gāo)溫下在P型矽表面擴散形成幾百納米磷摻雜層的N發射極,發射極之上(shàng)用氮化矽作(zuò)為(wèi)鈍化層和(hé)減反射層,用銀栅線來(lái)收集和(hé)傳輸電(diàn)子。背面一般先沉積氧化鋁和(hé)氮化矽雙層鈍化層,然後用激光線掃描燒蝕這層鈍化層暴露出矽襯底,随後對準絲印Al漿料或者全面積Al漿料以及背面銀主栅,通(tōng)過燒結形成局域Al摻雜的P+背場(chǎng)并形成金屬接觸。
PERC電(diàn)池面臨2個(gè)主要問題:光緻衰減,采用镓代替硼摻雜能夠緩解衰減;電(diàn)勢誘導衰減(PID),對于其産生(shēng)機制(zhì)有(yǒu)幾種猜想,但(dàn)是一般認為(wèi)是EVA(聚乙烯-聚醋酸乙烯酯共聚物)膠膜與水(shuǐ)汽發生(shēng)反應形成的醋酸腐蝕玻璃使其析出了金屬鈉離子,在高(gāo)電(diàn)壓驅動下,鈉離子穿過膠膜到達電(diàn)池鈍化層或者晶體(tǐ)矽體(tǐ)內(nèi),導緻電(diàn)池效率下降。
實驗表明(míng),PERC電(diàn)池背面PID相對于前表面更為(wèi)嚴重。從光伏封裝材料方面的一種解決方案是使用高(gāo)體(tǐ)電(diàn)阻的聚烯烴彈性體(tǐ)(POE)膠膜,一方面,它沒有(yǒu)醋酸的産生(shēng),另一方面,膠膜體(tǐ)電(diàn)阻的提高(gāo)可(kě)以降低(dī)玻璃上(shàng)的分壓,減弱鈉離子的遷移。因為(wèi)成本的壓力,POE膜後來(lái)又被換成了POE和(hé)EVA複合膜(EPE)。綜上(shàng),對于PERC電(diàn)池,其背面PID比較嚴重,用POE或EPE膠膜替換EVA可(kě)以改善。
2)TOPCon電(diàn)池
TOPCon電(diàn)池既可(kě)以采用P型也可(kě)以使用N型晶體(tǐ)矽襯底,但(dàn)是由于其優異的表面鈍化特性隻有(yǒu)在高(gāo)體(tǐ)壽命的矽襯底上(shàng)才能充分體(tǐ)現,目前基本都是采用N型晶矽作(zuò)為(wèi)襯底。其正表面是氧化鋁+氮化矽鈍化的硼摻雜的發射極,這與PERC是反着的,背面是超薄氧化矽疊加近100nm的磷摻雜多(duō)晶矽薄膜(poly-Si)形成的鈍化接觸結構,外面覆蓋了一定厚度的提供氫原子實現矽表面化學鈍化的氮化矽薄膜,正面絲印銀鋁漿直接燒結來(lái)制(zhì)作(zuò)細栅。由于銀鋁栅線對酸比較敏感,再加上(shàng)類似于PERC電(diàn)池背面的鈍化發射極薄膜結構更容易受到PID效應,所以TOPCon的正面膠膜一般也采用POE或EPE。3)HJT電(diàn)池HJT異質結(圖2c),它采用了一個(gè)全新的結構。一般是N型單晶矽襯底,前後表面首先是本征非晶矽鈍化層,然後表面覆蓋磷N型矽基薄膜、硼摻雜P型矽基薄膜(背面發射極結構),摻雜層之上(shàng)是透明(míng)導電(diàn)氧化物以及絲印或者其他金屬化方案制(zhì)備的金屬栅線。它步驟簡單,效率也比較高(gāo),但(dàn)也存在幾個(gè)問題,首先不耐水(shuǐ)汽,水(shuǐ)汽會(huì)影(yǐng)響到銀栅線與導電(diàn)氧化物的粘結,還(hái)會(huì)損害非晶矽這幾層,尤其是所謂的第三代異質結技(jì)術(shù)中這兩層摻雜非晶矽層被微晶矽取代後對水(shuǐ)汽更敏感了;其次就是紫外光照會(huì)損害摻雜層的電(diàn)導性和(hé)本征層的表面鈍化特性,所以業界選用膠膜時(shí)會(huì)考慮高(gāo)截止型,也就是把紫外光過濾掉犧牲部分光的利用,另一種方案是把紫外光轉成可(kě)見光,提高(gāo)光的利用效率;還(hái)有(yǒu)一個(gè)問題是導電(diàn)氧化物這層與普通(tōng)膠膜的粘結力比較低(dī),需要提高(gāo)。總的來(lái)說, N型電(diàn)池要求膠膜低(dī)水(shuǐ)透、高(gāo)粘結、更穩定。相應發展起來(lái)的膠膜主要有(yǒu)四類,如表1所示。
對應之前說的電(diàn)池類型,當前主流的膠膜組合方案見表2。
從EVA的分子結構可(kě)以知道(dào),它在層壓的時(shí)候會(huì)互相交聯形成網狀結構,也會(huì)跟助交聯劑或偶聯劑反應,主要的反應點位在支鏈末端(圖3,藍(lán)箭頭處)。但(dàn)它分子內(nèi)的酯基比較容易發生(shēng)水(shuǐ)解斷鏈(圖3,紅箭頭處)。這就導緻它與背闆和(hé)玻璃的初始剝離力挺高(gāo),但(dàn)水(shuǐ)熱老化以後顯著降低(dī)。從這一點來(lái)講,EVA不是界面鏈接的優選方案。
圖3:EVA分子結構
圖4:水(shuǐ)汽透過率
(膠膜克重:420克/平方米,層壓後)