鈣钛礦：第三代光伏技(jì)術(shù)，産業化雛形已現

鈣钛礦電(diàn)池降本增效前景無限，單結覆蓋BIPV等特殊場(chǎng)景，疊層賦能晶矽進一步提效。鈣钛礦電(diàn)池具有(yǒu)轉換效率上(shàng)限高(gāo)、吸光能力強、帶隙可(kě)調節、材料成本低(dī)、生(shēng)産流程短(duǎn)等優勢。我們認為(wèi)，短(duǎn)期單結鈣钛礦有(yǒu)望率先應用于BIPV和(hé)CIPV等特殊場(chǎng)景，中長期鈣钛礦與晶矽電(diàn)池疊層有(yǒu)望賦能光伏行(xíng)業進一步提效。我們預計(jì)，2030年鈣钛礦（單結&疊層）産能将達到443.33GW。  關鍵假設：

1）我們預計(jì)2023-2025年全球新增光伏裝機量分别為(wèi)350/450/550GW，假設2025-2030年全球新增光伏裝機量複合增速為(wèi)12.5%，假設容配比為(wèi)1.25； 

2）參考過去産能利用率，假設2023-2025年組件産能利用率為(wèi)60%，2026-2030年随着光伏裝機增速放緩，競争格局趨于穩定，産能利用率逐步提升至70%； 

3）假設2022-2030年鈣钛礦滲透率逐步由0.12%提升至25%；

工藝端技(jì)術(shù)路線尚未統一，鍍膜工藝為(wèi)核心。鈣钛礦生(shēng)産流程可(kě)簡化為(wèi)在TCO玻璃襯底（單結）或矽基（疊層）襯底上(shàng)先後沉積空(kōng)穴傳輸層、鈣钛礦層、電(diàn)子傳輸層、導電(diàn)層和(hé)背電(diàn)極，其中穿插激光刻蝕工藝起到切割、開(kāi)槽和(hé)清邊作(zuò)用，最後進行(xíng)封裝測試。

1）鍍膜工藝：鈣钛礦電(diàn)池鍍膜的常見工藝包括以刮塗、狹縫塗布為(wèi)代表的濕法鍍膜工藝和(hé)以PVD、蒸鍍、RPD、ALD等為(wèi)代表的幹法鍍膜工藝。從實際産業化情況看，目前鈣钛礦層通(tōng)常采用狹縫塗布或真空(kōng)蒸鍍的方式沉積，而空(kōng)穴傳輸層、電(diàn)子傳輸層可(kě)分别使用PVD和(hé)RPD/ALD工藝沉積。鈣钛礦各膜層的沉積方式與鈣钛礦材料體(tǐ)系選擇息息相關，未來(lái)随着鈣钛礦技(jì)術(shù)和(hé)材料體(tǐ)系變化，各類鍍膜工藝均有(yǒu)應用空(kōng)間(jiān)。

2）激光刻蝕：鈣钛礦電(diàn)池涉及四道(dào)激光刻蝕工序，其中P1、P2、P3激光劃線目的是将部分膜層打開(kāi)，把大(dà)面積鈣钛礦電(diàn)池分割為(wèi)多(duō)個(gè)子電(diàn)池，并使多(duō)個(gè)子電(diàn)池形成串聯結構，而P4激光工序主要起到清邊作(zuò)用，為(wèi)後道(dào)封裝前提。 

上(shàng)下遊産研聯動，産業化雛形已現。随着國內(nèi)鈣钛礦電(diàn)池技(jì)術(shù)突飛猛進，技(jì)術(shù)産業化有(yǒu)提速趨勢，以協鑫光電(diàn)、纖納光電(diàn)、極電(diàn)光能等一大(dà)批優秀企業先後落地鈣钛礦百兆瓦中試線，并取得(de)優秀的效率表現，目前頭部各家(jiā)GW級産線均已規劃建設，預計(jì)2024年有(yǒu)望落地。同時(shí)，傳統晶矽企業依托在晶矽電(diàn)池上(shàng)的技(jì)術(shù)積累，主攻疊層方向，但(dàn)多(duō)數(shù)仍處在實驗室階段。

設備端，業內(nèi)企業前瞻性布局鈣钛礦鍍膜、激光等設備，産品快速叠代升級，京山(shān)輕機、捷佳偉創、德龍激光等領先企業均已取得(de)訂單并實現出貨。材料端，TCO玻璃作(zuò)為(wèi)單結鈣钛礦電(diàn)池襯底，成本占比居第一位，金晶科技(jì)在2022年5月已經實現自主知識産權的TCO玻璃産線投産，耀皮玻璃通(tōng)過收購也具備TCO玻璃供應能力；鈣钛礦各膜層所需金屬靶材、TCO靶材也有(yǒu)優秀企業可(kě)供應。

文章來(lái)源：東方财富證券

免責聲明(míng)：本文原載于互聯網，版權歸原作(zuò)者所有(yǒu)。如涉及作(zuò)品版權問題，請(qǐng)與我們聯系，我們将在第一時(shí)間(jiān)協商版權問題或删除內(nèi)容！